功能描述：MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200A（Ta），170A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：57nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5070pF @ 30V

功率 - 最大值：250W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：*

封装/外壳：TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA

供应商器件封装：DDPAK/TO-263-3

标准包装：1

CSD18563Q5A

CSD18563Q5AT

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CSD19501KCS

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